众所周知，美国为了锁死中国的逻辑芯片制程在14nm，联手尼康、佳能，ASML三家光刻机巨头，一起对先进光刻机进行禁运。
而能够生产14nm及以下芯片的光刻机有两种，一种是EUV光刻机，一种是高端的DUV光刻机，也就是浸润式光刻机（ArFi光刻机）。
由于DUV光刻机中的浸润式光刻机分很多种型号，有些只能生产14nm以上工艺，有些能够生产最高7nm工艺。所以浸润式光刻机，究竟能不能卖给中国，哪些能够卖，哪些不能卖，就成为了大家最关注的问题。
特别是中芯京城项目，因瓶颈机台未交付，而造成投产延期更是牵动大家的心，因为很明显这个瓶颈机台，很可能就是光刻机。
而近日，荷兰光刻机大厂ASML通过官网发布了《关于额外出口管制的声明》，其中对光刻机出口进行了补充说明，算是尘埃落定了。
ASML表示，出口管制并不涉及所有浸润式光刻机，只涉及到“最先进”的光刻机。什么是最先进的浸润式光刻机？ASML认为是TWINSCAN NXT：2000i及之后的浸没式光刻系统。
滋润式光刻机到底有多少种？ASML目前在售的主要有三种，按照其先进程度，分别为TWINSCAN NXT：1980Di，TWINSCAN NXT：2000i ，TWINSCAN NXT：2050i，越后面的越先进。
那么就很明显了，这三种高端的DUV光刻机中，只能出口一种浸润式光刻机，那就是TWINSCAN NXT：1980Di，也就是相对最落后的那一种，其它两种，由于太先进了，所以是不能出口到中国来的，至于比浸润式光刻机更先进的EUV就更加不要说了，不可能出口了。
那么问题来了， 这一台TWINSCAN NXT：1980Di光刻机，能生产多少纳米的芯片？
如上图所示，这是ASML官网上关于这一台TWINSCAN NXT：1980Di的介绍，其中在分辨率方面，写到是大于等于38nm。
那么意思就是只能生产38nm工艺的芯片么？其实并不是的，是指一次曝光的分辨率，事实上光刻机是可以进行多次曝光的。理论上依然可以达到7nm，只是步骤更为复杂，成本更高，良率可能也会有损失，晶圆厂用这一台光刻机，大多是生产14nm及以上工艺的芯片，很少去生产14nm以下的工艺，因为良率低，成本高，没什么竞争力。
但可以肯定的是，用这一台TWINSCAN NXT：1980Di光刻机，生产28nm、14nm是不成问题的，国内成熟工艺的扩产，接下来不会有什么影响，只是在先进工艺方面，还是有困难，这也算是坏消息中的一个好消息？
