使用硅基氮化镓制备而成的充电器有着比普通充电器更快的充电速度、更高的功率输出、更低的能量损耗、更小的发热几率等，应用优势较高
硅基氮化镓（GaN-on-Si）是指由硅和氮化镓组成的复合材料，其兼具硅和氮化镓两者优势性能，有着优异的热稳定性、电磁屏蔽性、绝缘性、耐腐蚀性、环保性、抗拉强度以及更宽的工作温限等，可广泛用于电子元件、电子器件、功率器件、热敏器件、热敏元件等产品制造场景，终端应用涉及5G通信、数据中心、汽车、大功率快充充电器、雷达、航空航天等领域。
硅基氮化镓属于第三代先进化合物半导体材料的一种，其制造工艺为将氮化镓器件直接生长在硅基衬底上的技术，属于氮化硅外延片技术的一种，为实现低成本、大批量生产氮化硅器件奠定了良好基础。
硅基氮化镓性能优异，目前已在手机充电、汽车充电桩中实现广泛应用。使用硅基氮化镓制备而成的充电器有着比普通充电器更快的充电速度、更高的功率输出、更低的能量损耗、更小的发热几率等，应用优势较高。同时，硅基氮化镓还可用于功率放大器、射频开关、滤波器等射频器件制造场景。未来随着相关技术不断升级，硅基氮化镓在激光雷达、智能驾驶、航空航天等高新技术领域也有着广阔应用前景，市场发展空间广阔。
根据新思界产业研究中心发布的《2023-2028年硅基氮化镓（GaN-on-Si）行业市场深度调研及投资前景预测分析报告》显示，未来随着下游市场快速发展，硅基氮化镓市场规模有望持续扩大。预计到2024年，全球硅基氮化镓市场规模有望超过5亿美元。
全球范围内，布局硅基氮化镓市场的企业主要有瑞士意法半导体、美国德州仪器、德国英飞凌、美国Transphorm、美国Navitas以及江西兆驰半导体、同辉电子科技、佛山国星半导体技术、上海中晟光电设备、山西芯辉半导体科技、浙江芯科半导体、江苏丽隽功率半导体、华润微电子等中国企业。
新思界行业分析人士表示，硅基氮化镓是第三代化合物半导体材料的一种，有着耐高温、兼容性高、热导率高、宽带隙等优点，在5G通信、电子、汽车、数据中心等领域应用广泛，近年来随着下游市场快速发展，其需求不断增加，行业展现出良好发展前景。目前全球已有众多企业布局硅基氮化镓市场，未来随着企业技术不断升级，行业发展速度有望持续加快。
