国内最早进行6英寸化合物半导体晶圆制造公司三安集成电路有限公司日前宣布，将在全球范围内为650V和1200V碳化硅(SiC)器件以及650V氮化镓(GaN)功率高电子迁移率晶体管(HEMTs)提供宽禁带电力电子器件代工服务。
三安集成电路CEO Raymond Cai说道：“三安集成的母公司三安光电股份有限公司拥有丰富的批量生产化合物半导体的制造经验，这启发了我们开始建立自己的宽禁带半导体电力电子领域产品的生产线。”Raymond Cai补充说：“电力电子行业需要获得最先进的代工服务。三安集成相信有能力为高增长的电子电子器件市场提供一个全面的产品原型设计平台，将为降低进入壁垒和实现批量生产提供优质服务，同时保证安全和质量品质。”
根据Yole Développement在2019年11月的报告《 Power GaN 2019：Epitaxy，Devices，Applications and Technology Trends》中预测，功率GaN市场在2017年至2023年之间的复合年增长率（CAGR）为55％。 此外，在Yole在2019年7月的报告《 2019年功率SiC：材料，器件和应用》指出，功率SiC市场在2018-2024年期间的复合年增长率为29％。
顶级智能手机厂商发起采用的GaN解决方案和在大数据市场中SiC技术均被电子电子器件行业所认可，用于重塑系统设计。因此，三安集成将致力于促进GaN和SiC技术的发展，凭借全面的电力电子器件市场代工服务、丰富的大规模生产经验和对质量的严格把控和安全标准的遵守，三安集成致力于在以下应用领域的伙伴合作：
·电动汽车（EV）和混合电动汽车（HEV）；
·具有功率因数校正（PFC）的不间断电源（UPS）;
·电源适配器和电池充电器；
·光伏逆变器和储能；
·电机驱动器。
2019年6月，三安集成发布了G06P111技术工艺，该技术工艺为650V增强型高电子迁移率晶体管（E-HEMT）GaN工艺，已通过JEDEC标准认证。自那时以来，三安集成已经开发了多个用于GaN工艺的多项目晶圆（MPW）穿梭线。该公司表示，利用三安集成的工艺设计套件（PDK）和电子代工服务，设计人员可以利用GaN器件的设计和性能，确保在批量生产之前进行首次正确设计。
今年，三安集成计划为更多的技术选择提供MPW运行，包括200V和100V低压E-HEMT工艺服务以及为大电流设计提供M3工艺。该公司还计划开发其他技术，如GaN集成电路和高度可靠的耗尽型（D-模式）金属-绝缘体-半导体场效应晶体管（D-MISFET），预计将于今年晚些时候添加到三安集成的电源产品组合中 。
