行家说Display 导读：
据外网消息报道，来自 MISiS 的俄罗斯科学家与韩国科学家一起，找出了阻止半导体设备进一步小型化的工艺，尤其是制造更小 LED 的工艺。值得注意的是，该研究不仅能生产具有更高像素密度和分辨率的Micro LED，还不会增加消耗并把浪费降到最低。
如今，有关这项工作的文章已发表在《合金与化合物》杂志上。
科学家们研究了从所谓的宽禁带半导体生产电子设备（晶体管和 LED）的技术过程。从研究上来看，高效的蓝色发光二极管只能由此类材料制成，而目前行业却面临着进一步小型化所带来的各种问题：如LED 和晶体管越小，效率越低，性能越不稳定。
在此背景下，俄罗斯科学家与首尔高丽大学的同事一起研究了Micro LED 微型化过程中效率下降的问题：例如在平板显示器的生产中，并将其与材料结构侧壁上形成的缺陷相关联．。为此，科学家们通过从气相中沉积直径为100 －10微米的有机金属化合物的方法，培育出了辐射强度的显着下降始于直径小于30μm的Micro LED 样品。
科学家们认为，这是制造LED的材料表面缺陷累积以及 LED 本身壁上体积缺陷的原因。
“像素”直径越小，缺陷对LED性能的影响就越大，效率就越低，这也适用于由宽禁带半导体制成的晶体管。
科学家通过一系列实验证实了这一理论，并提出了缓解该问题的方法。因此，科学家们建议改变衬底刻蚀工艺以尽量减少表面缺陷的发生，将退火温度从700℃提高到900℃，并采用钝化工艺在材料表面覆盖一层保护层，防止“寄生”复合，在此期间不发射光子，能量在材料中耗散。
进一步的工作将旨在更详细地研究所提出的解决问题的方法对Micro LED和宽禁带半导体总体效率的影响。
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