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过去几十年，半导体产业在摩尔定律的指导下获得了高速的发展，为了满足摩尔定律“同等面积芯片集成的晶体管数每18个月翻一番”的要求，晶圆厂一直在推动工艺制程的更新。
但随着节点的演进，产业界普遍认为传统的光刻将会在65nm或者45nm的时候遭受到障碍，为此他们寻找新的解决办法，EUV就是他们的主要选择。
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所谓EUV，是指波长为13.5nm的光。相比于现在主流光刻机用的193nm光源，新的EUV光源能给硅片刻下更小的沟道，从而能实现在芯片上集成更多的晶体管，进而提高芯片性能，继续延续摩尔定律。不过在之前推进EUV光刻机的过程中，碰到各种各种各样的问题，EUV光刻机商用的时间也一拖再拖，业界在EUV的研发投入保守估计也超过了200亿美金，发光源功率是造成EUV光刻机迟迟不能商用的最主要原因。
ASML作为现阶段EUV光刻机的唯一供应商。最初计划在2004年推出的EUV光刻机，在延误了十三年之后才得以面世。这让我们对于EUV光刻机的更新迭代保留意见。
据悉，通过提升功率，ASML已经将每小时可以处理的晶圆数量提升了。功率越大意味着晶圆可以更快地曝光。在195瓦特的时候，他们每小时可以处理125片晶圆; 功率在今年年初达到246 W之后，这个数字则来到了140片晶圆。该公司全年都在对客户机器进行改造，以期达到更高的标准。
本周于旧金山举行的IEEE国际电子设备会议上，ASML的副总裁Anthony Yen表示，他们已经开始研发下一代光刻机。他表示，在他们公司看来，一旦现有的系统到达了极限，他们有必要去继续推动新一代产品的发展，进而推动芯片的微缩。
同时Yen表示，ASML预计到2018年底将出货18台机器，并计划在2019年发货30台。然而，供应商的火灾将延迟他们在2019年的交付，该公司周二表示。8月，当GlobalFoundries取消7纳米芯片开发时，ASML失去了一位知名客户。这一举措消除了公司在2017年和2018年安装的两台EUV机器的需求。
