铟砷锑制备通常是采用熔体外延法，在砷化铟（InAs）衬底上外延生长铟砷锑厚膜单晶，铟砷锑外延层厚度可达100μm，与衬底之间晶格失配率降至最低，外延层位错密度大幅下降，晶体质量得到大幅提升。
铟砷锑（InAsSb），是III族元素铟（In）与V族元素砷（As）、锑（Sb）化合形成的三元化合物半导体材料，属于窄带隙半导体。根据新思界产业研究中心发布的《2022－2026年铟砷锑（InAsSb）行业深度市场调研及投资策略建议报告》显示，铟砷锑是目前已发现的禁带宽度最小的III－V族化合物半导体，且禁带宽度可调节，并具有结构稳定、载流子迁移率高、介电常数小、自扩散系数小等特点，是第四代半导体材料，适用于红外探测器、传感器等制造领域。
铟砷锑可以单独作为半导体材料使用，也可以与其他III－V族半导体材料交替生长纳米薄层制备二类超晶格材料，InAs／InAsSb（砷化铟／铟砷锑）超晶格是代表性产品，是第三代红外探测器的最佳敏感材料之一。InAs／InAsSb超晶格的禁带宽度由锑（Sb）决定，其工作波段覆盖短波红外到甚长波红外（2－30μm），与另一代表性二类超晶格InAs／GaSb（砷化铟／锑化镓）超晶格相同，但与后者相比，InAs／InAsSb超晶格的少子寿命更长，拥有巨大发展潜力。
铟砷锑制备通常是采用熔体外延法，在砷化铟（InAs）衬底上外延生长铟砷锑厚膜单晶，铟砷锑外延层厚度可达100μm，与衬底之间晶格失配率降至最低，外延层位错密度大幅下降，晶体质量得到大幅提升。利用此方法制备的铟砷锑用作敏感材料，制造而成的非制冷型铟砷锑红外探测器，响应速度明显提升，并具有波长覆盖范围宽、禁带宽度可调节、探测效率高的优点，是一种高性能非制冷型红外探测器。
新思界行业分析人士表示，铟砷锑探测器在室温条件下拥有优良的探测效率，且响应速度高于碲镉汞（HgCdTe）探测器，并能够制造小型化探测器产品，因此其发展受到多个国家的关注。铟砷锑除了可以制造红外探测器以外，还可以制造传感器、光谱仪、温度测量仪、激光器、激光功率能量计、工业监控等产品，下游应用领域涉及仪器仪表、光伏发电、工业设备、安防监控、环境保护等方面。
我国环保要求日益严格，铟砷锑探测器不含汞（Hg）等易挥发有毒元素，安全性更高，且响应速度快、检测灵敏度高，可以快速测定氨气（NH3）、臭氧（O3）等多种气体成分，能够在线检测污染气体，在大气污染防控领域具有重要作用。此外，铟砷锑探测器还可以对液体、固体进行分析，因此也可以应用在水污染防控领域。由此来看，未来我国铟砷锑行业发展前景良好。
