由于个人原因，我无法参加今年的SPIE高级光刻会议，但是很高兴，应用材料（Applied Materials）为我和Regina Freed组织了一个简短的电话会议，以讨论其材料使能的图形化方案公告。
在去年IEDM，应用材料（AMAT）试着组织了覆盖整个半导体生态圈的小组会议，以探讨如何持续进行制程微缩。
在制程微缩时需要考虑到所有因素，目前的重点是功耗，性能，面积和成本（PPAC）。在那次小组会议上，台积电还提到需要考虑时间。此次，AMAT的公告的一部分想法是简化制程，通过减少工艺步骤来帮助节省成本和时间。
以下是其公告的三个部分是：
方形侧墙
横向蚀刻
选择性工艺
方形侧墙
SAxP是一种广泛使用的图形化技术，最常见的是自对准双重图形化（SADP）和自对准四重图形化（SAQP）。基本前提是创建一个心轴图案，然后在心轴边缘上沉积侧墙以使节距减半。通常，这些侧墙具有弧形的顶部形貌。在SAQP工艺过程中，补偿侧墙弧形顶部形貌所带来的影响的一种通常做法是沉积两层心轴材料层，并使用第一个侧墙来定义第二个心轴，但这增加了工艺复杂性。
业界曾试图通过优化蚀刻工艺来控制侧墙的顶部形貌，并最终选择了增加第二个心轴层，但这增加了成本和复杂性。AMAT通过更改侧墙材料，以获得方形侧墙，从而减少了工艺步骤。图1说明了传统的双心轴SAQP工艺（上图）和方形侧墙SAQP工艺（下图）。
图1．方形侧墙SAQP与双芯轴SAQP。
方形侧墙工艺可以将主工艺步骤从15步减少到11步，因为方形侧墙的质量足够高，可以用作下一个侧墙的心轴层。使用此技术，您确实失去了具有多个特征尺寸（CD）的能力
。
横向蚀刻
SAxP制程中，SADP可以创建的线条和间距的数量是原来的两倍，而SAQP是四倍。需要在正交方向上切割所得的线。切割线末端之间的距离称为尖端到尖端（T2T，tip to tip），并且节距和T2T之间存在一个基本的互相制衡的关系。
AMAT的新型横向蚀刻工艺可在控制方向的情况下进行横向蚀刻，从而可以降低T2T。图2展示了通过在一个方向上进行横向蚀刻来降低T2T。
图2．通过横向蚀刻减小T2T。
在电话会议中，我向里贾纳（Regina）建议，这种横向蚀刻技术可用于3D NAND阶梯蚀刻，在这种情况下，缩小横向尺寸而不减小光阻（另一方向的的尺寸），因此可能会减少所需的掩模数量，她认为这可能非常有趣。
选择性工艺
边缘位置错误（EPE，Edge Placement Errors）是一个严重的问题，特别是对于复杂的多重图形化方案，其中多个掩模的相互作用加在一起会极大增加EPE。
以前的选择性生长工艺，最终都会形成蘑菇头结构，这使该工艺只能用来沉积薄膜。AMAT的新型选择性沉积工艺，可以沉积相对更厚的薄膜。这种新的选择性沉积材料还具有对氮化钛（TiN）硬掩模的蚀刻选择比，因此可以创建选择性图案。在该制程方案中，选择性蚀刻这一新材料，从而消除了EPE，并允许最大尺寸的关键部件（例如通孔）以提供较低的电阻。
该制程的一个示例如下：
晶圆上已经有金属图案。
在金属图案上选择性沉积以形成较高的一层材料。
间隙填充至高起的材料的顶部以上，然后通过CMP进行平坦化。
沉积TiN硬掩模。
金属光刻定义了下一个金属层的图案。
将金属图案蚀刻到TiN和间隙填充材料中，无论当前的金属图案与先前的金属图案重叠在哪里，都会暴露出底部选择性沉积材料。
通孔光刻，由于通孔将与金属掩模自对准，因此该掩模的尺寸可能会比较大。
蚀刻通孔，通孔图案在一个方向上受到TiN金属硬掩模的约束，并且仅蚀刻暴露的选择性沉积材料，从而形成与底部金属层自对准的通孔。
图3展示了该自对准工艺的EPE和成本优势。
图3．选择性工艺降低EPE和成本。
结论
此处介绍的三项工艺创新可提高工艺范围，减少成本和时间并提高性能。
方形侧墙减少了SAQP工艺中的工艺步骤，从而减少了成本和工艺时间。
定向蚀刻可改善T2T间距，从而实现更紧凑的布局，从而提高成本优势。
选择性工艺可减少EPE并实现最大通孔尺寸，从而提高性能。
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