今天地芯科技举办新品发布会，正式推出了全球首款基于CMOS工艺的支持4G的线性CMOS工艺技术平台——地芯云腾，首款芯片的型号为GC0643，地芯科技称将CMOS工艺引入到主流射频前端市场，可以让设计更加灵活，同时制造成本也有所降低，对于通信企业来说是一个不错的消息。
地芯称CMOS工艺是目前在集成电路设计中最为广泛使用的一种方法，具有高集成度，低成本、漏电流低、导热性好、设计灵活等特性，然而CMOS工艺也并非万能，比如说击穿电压低以及线性度差就是两个致命的缺点，对于射频芯片来说尤其如此，对此地芯科技利用十余年研究线性CMOS工艺技术所取得的经验与技术，终于克服了CMOS工艺击穿电压低、线性度差两大难度，从而让前端射频芯片采用CMOS工艺成为了可能。
GC0643就是地芯利用CMOS工艺所打造的新一代前端射频芯片，可以应用于3G/4G手机，LP-WAN设备，无线IoT模块等领域，支持包括WCDMA、FDD LTE、TDD LTE等十余个频段，基本满足国内主流网络通信的数据传输。同时GC0643实现了在3.4V的电源电压下，在2.5G高频段中正常工作，这是传统CMOS工艺难以企及的，同时饱和功率也达到了32dBm，效率接近50%。而在-38dBc UTRA ACLR条件下的FOM值接近了70，已经和基于GaAs工艺打造的线性PA平起平坐。同时随着GC0643的顺利推出，未来线性CMOS PA进入30-36dBm的主流市场也成为了可能。
地芯科技CEO吴瑞砾在发布会上称，CMOS工艺拥有极其灵活的设计性，对于射频芯片的研发与制造十分有利，假如基于CMOS工艺打造的射频芯片能够完全解决高压击穿的问题，那么毫无疑问未来CMOS工艺将大有可为，而这也是CMOS PA设计最重要的课题之一。
