上文介绍了开环霍尔电流传感器的原理，今天介绍另外两个方案：闭环霍尔方案与磁通门方案。
闭环霍尔电流传感器
下图为前文介绍过的开环霍尔电流传感器的结构图（图片来自于LEM官网），待测电流Ip建立起磁芯内的磁场后，通过霍尔元件感应出的霍尔电压来测量电流值大小；它对外输出的是一个电压模拟量。
而闭环霍尔电流传感器是基于开环原理（下图来自于网络），然后引入了补偿电路；通过磁芯的有两部分电流：原边待测电流与副边补偿电流；原边待测电流就是指电池流经母线铜排中的大电流，而副边补偿电流是由闭环霍尔电流传感器内部产生的，流经磁芯上的副边线圈。
具体地（下图来自于LEM官网），霍尔元件感应出来的霍尔电压并没有直接用于测量，而是霍尔电压通过放大电路后产生了一个副边电流，这个副边电流流过缠绕在磁芯上的线圈，然后通过采样电阻Rm流到地。这样的话副边电流也会在磁芯中产生一个磁场，并且设计让这个磁场与原边待测电流产生的磁场方向相反，强度相等，那么总磁通量为0，即霍尔元件处于0磁通的环境中。
接下来，当霍尔元件中的磁通为0后，就会得到如下公式，通过测量Is，即可得到Ip；Ns一般为1000~5000，Is一般为25mA~300mA左右。
磁通门电流传感器（Fluxgate）
磁通门电流传感器才是我们经常遇到的产品，如LEM的CAB系列。
磁通门电流传感器又可以分为几种，如下图所示（图片来源LEM官网）：例如标准型、C-type、IT-type、低频型等，这里介绍比较基本的标准型磁通门原理。
标准型的磁通门电流传感器结构很类似闭环霍尔结构，如下图所示（图片来源于网络），只是在磁芯的气隙处放置的不是霍尔元件，而是一个磁通门的传感器，即可饱和电感。
具体地，在结构上同样有原边待测电流Ip（母线中电流），副边反馈电流Is（副边线圈中），同样地，只要让气隙中的总磁通量为0，根据下式可以计算出Ip：
此方案的原理框图如下（来源于LEM官网），前面我们知道了计算电流Ip的方法，即调节副边电流Is，使得气隙处的总磁通量为0，即可得出Ip；那么，我们怎么实时检测气隙处的磁通量，然后调节磁通量为0呢？
这里在气隙处应用了可饱和电感作为探头来识别气隙处的磁通量（下图来源于LEM官网），它是由磁芯与线圈组成的电感探头。
进一步地，气隙处的磁通量大小会影响这个探头的电感量（探头的电感量是受外部磁场影响而变化的），我们只要区别出磁通量为0时的电感大小与磁通量不为0时的电感大小即可。
那么怎么来识别不同磁通量下的电感大小呢？
一种方案是，在电感探头的线圈中通过一个电流Isi（两端施加一个电压源u(t)），它产生的磁通与外部气隙的总磁通（包括了IpIs二者引起的磁通）叠加后作用于电感探头的磁芯上，这个累加后的磁通量会影响电感探头的感量，而电感量与电流大小又相关，所以只要知道Isi的电流怎么受到气隙处的磁通影响就OK了。
省略中间的一些理论性的分析过程，当气隙处的总磁通量为0时，电感探头中的电流如下图，其中虚线代表施加在探头两端的方波电压u(t)，实线为电流值i(t)。
当气隙处的总磁通量不为0时，电感探头中的电流波形如下图：所以我们通过检测这个电流值，就可以等效判断出气隙处的总磁通量是否为0，然后通过调整副边线圈中的电流Is，来使得气隙处的总磁通量为0。
总结：
在分析过程中可能省略了一些过程的推导，但整个表述的逻辑是严谨的，大家可以自行查找一下更深入的解释；以上所有，仅供参考。
