行家说快讯：
据芯元基半导体官微消息显示，近日，芯元基半导体在Micro LED巨量转移技术领域获得重大突破。
12月9日，芯元基半导体在其独有的化学剥离Micro LED的技术基础上，成功开发出了晶圆级印章巨量转移工艺，达到了转移芯片位置零偏差。转移技术一直是推进Micro LED技术的重要阻力之一，而芯元基半导体的转移工艺可在芯片的衬底生长阶段直接完成，不仅能够保证芯片转移后位置零偏差，还减少了工艺步骤，实现降本。
来源芯元基半导体据了解，芯元基半导体是一家基于第三代半导体氮化镓（GaN）材料自主研发、设计、生产蓝宝石基GaN高端薄膜结构芯片、Mini/Micro LED芯片的公司，已形成以蓝宝石复合图形衬底技术（DPSS）、化学剥离技术和晶圆级批量转移技术等为核心的完整技术体系。值得注意的是，芯元基半导体一直聚焦Micro LED技术的研发。目前，其已实现高良率、高效纯红光倒装结构和正装结构的量子点MiniLED芯片、实现0.39英寸单色Micro LED显示屏视频显示、实现0.41英寸单色Micro LED微显示屏视频显示、点亮InGaN基红光适合微显示的pitch 8微米Micro LED芯片阵列等。另外，芯元基半导体已获中微半导体、上海创徒、张江科投、张江高科、浦东科创、上海自贸区基金等逾亿元投资。
据行家说《2023小间距与微间距显示屏调研白皮书》显示，如今Micro LED进发过程所面对的挑战主要在芯片产品自身的效率、外延一致性、巨量转移技术、检测/修复、全彩、背板/驱动等。在巨量转移技术方面，目前转技术分为自组装、滚轴转印、选择性释放、拾取放置转移等，其中Micro LED的巨量转移以激光剥离转移、滚轴转印技术等为主。
来源芯元基半导体、行家说综合整理
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