可量产0.2nm工艺!ASML公布超级EUV光刻机:但死胡同也不远了
ASML去年底向Intel交付了全球第一台High NA EUV极紫外光刻机,同时正在研究更强大的Hyper NA EUV光刻机,预计可将半导体工艺推进到0.2nm左右,也就是2埃米。 ASML第一代Low NA EUV光刻机孔径数值只有0.33,对应产品命名NXE系列,包括已有的3400B/C、3600D、3800E,以及未来的4000F、4200G、4X00。 该系列预计到2025年可
快科技
2024.06.17ASML去年底向Intel交付了全球第一台High NA EUV极紫外光刻机,同时正在研究更强大的Hyper NA EUV光刻机,预计可将半导体工艺推进到0.2nm左右,也就是2埃米。 ASML第一代Low NA EUV光刻机孔径数值只有0.33,对应产品命名NXE系列,包括已有的3400B/C、3600D、3800E,以及未来的4000F、4200G、4X00。 该系列预计到2025年可
OFweek激光网
2024.06.07日前,荷兰光刻机巨头ASML与半导体大厂imec宣布,双方将在荷兰费尔德霍芬(Veldhoven)共同设立了一家高数值孔径(NA)极紫外线(EUV)光刻实验室,这被视为使用最先进技术大规模生产芯片的关键一步。业界可以在这里利用最先进的光刻机TWINSCAN EXE:5000进行试验和优化芯片制造,有助于推动摩尔定律进入埃米(0.1纳米)时代。该实验室经过多年的精心构建与集成,其开放也被视为高数值孔
柏铭007
2024.06.07台积电之前曾说2纳米、1.6纳米都无需2纳米EUV光刻机,不过日前台积电突然改口了,将采购2纳米EUV光刻机,这意味着台积电在开发2纳米、1.6纳米工艺的过程中已遭遇了巨大的困难。 台积电之前的说法是以现有的EUV光刻机就可以量产2纳米、1.6纳米,这样可以降低成本,毕竟2纳米EUV光刻机实在太贵了,它的说法曾鼓舞了全球芯片行业,通过技术创新可以进一步挖掘EUV光刻机的潜力。
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2024.06.06台积电高管表示中国一家科技企业就是卖手机的,根本没资格成为它的对手,还扬言即使给它20年时间,也无法超越台积电,此番言论引发了诸多争议,然而就在不久前这家中国科技企业的高管表示能搞定7纳米就很了不起了,3纳米、5纳米很难搞! 台积电的言论有它的底气,因为芯片制造确实是很专业的事情,目前全球拥有先进工艺的仅有台积电和三星,他们都已将芯片工艺推进到3纳米,并预计到2026年实现2纳米工艺,在芯片
半导体产业纵横
2024.05.26最近,关于EUV光刻机,又有劲爆消息传出。 据外媒报道,有消息人士透露,由于美国施压,ASML向荷兰政府官员保证,在特殊情况下,该公司有能力远程瘫痪(remotely disable)台积电使用的EUV光刻机。知情人士称,ASML拥有“锁死开关”(kill switch),可以远端强制关闭EUV。 针对这一消息,有专家表示,远程瘫痪或关闭EUV,技术上是可行的。
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2024.05.20据韩媒报道,英特尔已经获得了阿斯麦(ASML)在明年上半年制造的大部分高数值孔径 (NA) 极紫外 (EUV) 光刻设备。ASML今年计划生产5台高NA EUV光刻设备,而这些设备将全部供应给英特尔。他们表示,ASML每年生产高数值孔径(NA) EUV设备的能力约为5-6台,由此可见英特尔已经获得了计划在2024年生产的全部5台设备——每台单位的成本约为3.7亿美元,这凸显了英特尔在先进制造技术上
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2024.05.16台积电已公布了A16(相当于1.6纳米)工艺,预计在2026年实现量产,外媒指出该项工艺很可能会继续采用现有的第一代EUV光刻机实现,原因可能是2纳米EUV光刻机实在太贵了。 ASML今年量产的2纳米EUV光刻机几乎已被Intel抢购一空,业界曾以为三星和台积电会争抢ASML明年的2纳米EUV光刻机,然而外媒指出台积电似乎气定神闲,并未有抢购2纳米EUV光刻机的计划。 这已不是台积电第一次
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2024.04.18ASML公布一季度的业绩,业绩显示营收同比下滑21.6%,净利润更是暴跌37.4%,营收环比更是从2023年Q4的91.9亿欧元暴跌近三分之二,导致如此结果就在于ASML无法对中国销售较为先进的DUV光刻机。 之前ASML曾表示今年的业绩仍然将继续增长,它有如此信心就在于今年开始交付2纳米光刻机,2纳米EUV光刻机为ASML最先进的光刻机,也是至今为止最贵的光刻机,售价高达3亿美元,预计今年
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2024.03.18随着全球芯片市场的需求继续下行,这对于芯片设备商ASML和最大代工厂商台积电来说都承受着压力,为了获得生存的空间,这两家企业如今都在寻求改变,以摆脱美国的限制,以免继续受制于人。 对于ASML来说尤为迫切,ASML表示随着2纳米EUV光刻机的量产,光刻机产业也已基本到了尽头,未来光刻机业务将逐渐成为残羹冷饭,ASML当然需要抓住这最后的机会赚尽最后一笔钱。 对于ASML来说
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2024.02.232023年美国限制日本对华输出芯片设备和材料,不过日本芯片设备行业总结这一年的成绩却发现他们仍然从中国市场赚取了厚利,东京电子表示从中国市场获得的收入占它的营收比例近47%,不过它同时表示担忧中国芯片的进展而导致从中国市场获得的收入下降。 2023年美国连连拉拢日本和荷兰,阻止对华出售先进的芯片设备和材料,不过到了2023年下半年它们的企业却纷纷加大对华出口。 美国两大芯片设备材料企业泛林
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2024.02.18(本篇文篇章共715字,阅读时间约1分钟) 近日荷兰光刻机巨头ASML首次向媒体展示了最新一代的High NA EUV光刻机,这一机器被视为全球最先进的光刻技术,能够制造2纳米以下的芯片。这台High NA EUV光刻机的巨大规模令人印象深刻,一整套系统的尺寸相当于一台双层巴士,重达150吨,装配需要250名工程人员,耗时6个月。 据悉,这一新一代光刻机的售价高达3
科闻社
2024.02.18(本篇文篇章共935字,阅读时间约1分钟) 近期,台积电发布了其在1nm制程芯片领域的产品规划,计划在2030年前完成1nm级A10工艺的开发。这一计划是在ASML交付给英特尔业界首台High-NA EUV光刻机后的消息,该光刻机具有高数值孔径(High-NA)和每小时生产超过200片晶圆的能力,提供0.55数值孔径,相较于之前的EUV系统,精度有所提高,能够实现更高分辨率的
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2023.12.25日前外媒报道指三季度全球采购EUV光刻机的订单仅有三个,而EUV光刻机的生产商就是ASML,这意味着作为ASML主要利润来源的EUV光刻机已不受芯片制造企业欢迎,对ASML来说是相当大的打击。 自7纳米以下工艺,就需要采用EUV光刻机才能获得更高的良率,生产的芯片性能也更好,而ASML为全球唯一的EUV光刻机生产企业,这让ASML曾获得了丰厚的利润。 台积电在2018年率先量产7纳米工艺,
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2023.12.22日前消息指光刻机巨头ASML预计明年量产10台第二代EUV光刻机,其中6台已确定被美国芯片企业Intel夺下,剩下的两台将由三星和台积电竞争,如此一来拿到更多第二代EUV光刻机的美国可望率先量产2纳米,反超台积电。 一、第二代EUV光刻机的重要性 目前台积电和三星都是以第一代EUV光刻机生产3纳米工艺,导致它们的良率偏低。台积电生产的3纳米采用FinFET技术,保守的态度确保3纳米工艺的良
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2023.12.22集邦咨询的报告显示,ASML阿斯麦将在2024年生产最多10台新一代高NA(数值孔径) EUV极紫外光刻机,其中Intel就定了多达6台。同时,三星星也在积极角逐新光刻机,台积电感觉压力巨大。NA数值孔径是光刻机光学系统的重要指标,直接决定了光刻的实际分辨率,以及最高能达到的工艺节点。金属间距缩小到30nm以下之后,也就是对应的工艺节点超越5nm,低NA光刻机的分辨率就不够了,只能使用EUV双重曝