存储芯片是未来物联网、大数据、云计算等新兴领域不可或缺的关键元件，因此存储芯片的自主可控对我国新一轮信息化进程的推进具有十分重要的战略意义。中国作为全球电子产品的制造基地，长期以来都是存储器产品最大的需求市场，但是国内存储芯片的自制率较低，国产替代的空间十分广阔。
巨头瓜分全球，高度垄断
存储器的核心是存储芯片。以断电后数据是否丢失为划分依据，存储芯片可分为“易失性芯片”和“非易失性芯片”两大类。 易失性存储芯片通常被用在随机存储器RAM中，通常在断电之后，这类存储器就会丢失数据。常见RAM芯片有两大类：SRAM和DRAM。
SRAM被称为静态RAM，是目前读写速度最快的存储设备，但是由于造价昂贵，因此SRAM只在对速度要求苛刻的地方使用。譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。
DRAM是指动态RAM。DRAM能留存数据的时间很短，通常断电即消失，读写速度比SRAM要慢不少，但DRAM比SRAM要便宜得多，因此DRAM常被用作计算机的内存。
据数据显示，韩国三星、海力士和美国美光科技三大厂商共占全球存储芯片市场份额的95%。其中，三星占据市场份额最大达44.5%，得益于存储业务的高速增长，三星在2017年超越了英特尔，成为全球第一大半导体厂商。位列二三名的海力士和美光分别占市场的27.9%和22.9%。
从细分领域来看，全球85%的DRAM市场被三家企业瓜分，其中三星DRAM占全球市场份额的45.8%。NAND Flash市场几乎全部被三星、海力士、东芝、闪迪、美光和英特尔等六家瓜分，其中，三星NAND占全球市场的37%。 由于这三家企业在产业链上游拥有绝对的支配地位，所以产品议价能力极强，甚至可以操纵市场价格。
中国是全球最大的DRAM芯片进口国。因核心技术被垄断，我国在这方面的发展速度极为缓慢。加之电子产业对DRAM存在刚性需求，仅去年一年，DRAM芯片的价格就上涨了40％之多。 存储芯片国产化之路，势在必行。
布局DRAM，加速国产替代
在存储芯片领域，主要包括DRAM、NandFlash、NorFlash等三大存储器芯片，其中DRAM芯片是存储芯片中占比最大的一类。DRAM凭借体积小、价格低、集成度高、功耗低、读写速度快等特点，一直是适用于内存最好的介质。
在过去的十年里，智能机和便携设备的发展驱动外存介质不断地更新迭代，而在外存介质洗牌的过程中，DRAM的市场地位始终非常稳固。
据数据显示，自2014年以来，DRAM占存储市场的比重均保持在55%以上，2018年全球DRAM市场规模达989亿美元，占整个存储市场的58%。但这一领域的市场份额长期被海外巨头霸占，前四大厂商牢牢占据全球DRAM市场99%的份额。三星为DRAM市场龙头，市占率长期保持在42%以上，SK海力士与美光紧随其后，市占率分别为31%和23%，国产DRAM份额不足1%。
而中国又是全球半导体最大的消费市场，2018年，中国进口了超过900亿美元的存储芯片，这其中三星电子、SK海力士和美光电子三分天下，极大的国内市场需求与极低的自给率严重不匹配。
在上一轮消费电子、汽车电子所带来的科技发展浪潮中，日韩企业垄断DRAM存储芯片行业，利用我国巨大的集成电路消费市场，国外企业通过涨价把巨大的利润揽入怀中，而在未来5G大时代下，下游包括大数据、云计算、人工智能等的发展，更是将爆发出更大存储芯片发展市场，为分享全球下一步科技发展的红利，实现国内芯片上的独立自主，存储芯片是重点的领域之一。
在此背景下，自2014年以来，国家大量资金开始投入到DRAM内存领域，一期大基金集成电路制造领域投资超500亿元，占比份额最大，达到了47.8%。
从需求端来看，存储器的需求结构正快速向着多样化转变，在智能机出货量增长乏力的背景下，DRAM的市场将由过去的智能机需求单点拉动转变为智能机需求和服务器需求齐头并进。2020年后5G和AI的普及和应用将成为拉动半导体需求的重要力量，同时下一代DRAM制程也将开始普及，整个DRAM市场供需关系会更加复杂，但规模总体向上的趋势是确定的。
