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聊聊套刻精度≤8nm的国产光刻机,究竟怎么回事

互联网乱侃秀 2024-09-17 09:22 发布于湖南 发文

近日,在工业和信息化部发布的资料中,大家看到两台国产氟化氩光刻机。

其中一台写着晶圆直径300mm,波长248nm,分辨率≤110nm,套刻精度是≤25nm。

而另一台写着晶圆直径300mm,波长193nm,分辨率≤65nm,套刻精度≤8nm。

如上图所示,由于第二台写着套刻精度≤8nm,于是很多网友就觉得,通过多重曝光之后,这台光刻机,能生产8nm或以下的芯片,因为套刻精度,决定的就是芯片工艺。

一时之间,越传越神,什么国产8nm光刻机就来了,搞得一些人很是沸腾,因为国内苦光刻机已久,而ASML的EUV不卖给我们,DUV也限制了一些浸润式,如果我们有自己的8nm光刻机,情况将会完全不一样。

那么这台光刻机,究竟和8nm有没有关系,是什么关系?

大家先要搞清楚,套刻精度是个什么样的指标。

在将芯片图案曝光到晶圆前,必须晶圆进行精准量测,而测量需要时间,曝光也需要时间,所以ASML后来推出了双工作台系统。

这两个工作台,一次放两块晶圆,一个平台上的晶圆正在曝光时,另一个晶圆被装到二号平台进行对准和测量,两个工作台轮流工作,这样来节省时间。

既然是双工作台,那么两个工作台相互对准之间的精度,就叫做Overlay——套刻精度。

同时套刻精度还有三种,比如ASML的NXT 1980Di,有三个套刻精度,OPO≤3.5nm,DCO≤1.6nm,MMO≤2.5nm。

OPO指产品本身的套刻精度,指的是上次曝光和现在的对齐精度。DCO同一台设备自己套自己的精度,MMO不同设备之间的套刻精度。

OPO还是DCO,还是MMO,这几个参数共同决定了你能不能用多曝工艺,以及量产之后的曝光图形的一致性,和上下层最终的对准精度。

套刻精度,代表的其实多重曝光之间的误差值,误差越小,良率越高,就可以多曝光几次,误差越大,良率越低,就无数多重曝光。

按照ASML的定义,给大家看一个图,是ASML一些典型光刻机的制程、分辨率、套刻精度等的参数指标图。

大家可以看到,在ASML的XT1250这种制造90nm芯片的光刻机上,MMO套刻精度就是6nm,分辨率是小于70nm的。

从这张图也可在判断出,国产的这台氟化氩光刻机,其实和8nm没有一毛钱的关系。上面写着分辨率是小于等于65nm,光源是193nm,我们仔细对标一下,最多对标的是ASML的XT1470,可能还不一定行,而这台光刻机最多只能制造65nm的芯片。

所以,大家别沸腾了,别将套刻精度,和芯片工艺对应起来,这两者完全不是一回事。

声明:本文为OFweek维科号作者发布,不代表OFweek维科号立场。如有侵权或其他问题,请及时联系我们举报。
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