SS6343M 是率能半导体推出集成式三相 BLDC半桥驱动 IC，芯片集成 6 颗 N 沟道功率 MOS、前置栅极驱动与内置电荷泵单元，支持 3~16V 宽电压输入，可持续输出 2A 驱动电流，峰值限流7A；芯片搭载独立通道使能 + PWM 双路控制逻辑，内置 3.3V/100mA 稳压 LDO，自带自动同步整流功能，集成欠压 UVLO、过流 OCP、过温 OTP 全套硬件保护。
SS6343M采用 3×4mm 带散热焊盘 QFN24 小型封装，导通电阻仅为140mR；具有输出电流大、导通内阻低、输入内压高、超小型封装、性能卓越等优势；其软硬件完全可Pin-to-Pin兼容替代MP6543和STSPIN233，适配风扇、云台、小型水泵、手持无刷电机等设备。
产品特性
● 三相半桥集成方案，内置 6颗功率 MOS，单管导通电阻典型 80mΩ
● 工作电压覆盖 3V~16V，宽电源适配锂电、适配器整机
● 连续输出电流 2A，峰值过流保护阈值最高 7A
● 电荷泵供电架构，支持0~100%占空比持续运行
● 自动同步整流，降低续流二极管损耗，提升电机效率
● 集成 3.3V/100mA LDO，可直接给主控 MCU 供电
● 独立 ENA/ENB/ENC 通道使能引脚，搭配 PWMA/PWMB/PWM 三路调速输入
● nSLEEP 硬件休眠脚，休眠静态电流仅 100μA，低功耗省电
● 开漏 nFAULT 故障报警引脚，过流 / 过温自动拉低报错
● 全套硬件保护：UVLO 欠压锁定、OCP 逐相过流、TSD 过温关断
● QFN24 封装（3mm×4mm）底部外露散热焊盘，散热性能优异
● HBM±2kV、CDM±500V 双等级静电防护
关键电气参数
工作电压范围：3V ~ 16V
连续驱动电流：2A
峰值过流阈值：5.5~9A（典型 7A）
MOS 导通电阻：80mΩ
内置 LDO 输出：3.3V/100mA
正常静态电流：2mA
休眠静态电流：100~150μA
UVLO 欠压阈值：2.7V（迟滞 150mV）
过温关断温度：160℃
HBM 静电：±2000V
芯片工作逻辑
1. 通道控制逻辑：ENx高电平开启对应相位,PWMx控制输出；ENx低电平,该通道输出高阻态。
2. 休眠模式：nSLEEP拉低，芯片全部电路关闭，仅保留微弱漏电流，唤醒需1.5ms稳定时间。
3. 自动同步整流：电感续流时自动导通对应上下管，规避体二极管发热损耗。
4. 保护机制
UVLO：输入低于 2.7V 全部输出关断；
OCP：任意相短路超阈值，全部通道锁死 4ms 后重试；
OTP：结温超 160℃关桥，降温后自动恢复；
5. 故障触发后 nFAULT 引脚拉低，外接上拉电阻供 MCU 识别。
6. 电荷泵：持续给上管栅极供电，实现 100% 占空比无压降运行。
典型应用场景
● 电脑 / 工业散热无刷风扇
● 手持云台、小型航拍电机驱动
● 微型水泵、气泵 BLDC 马达
● 扫地机小型行走 / 滚刷电机
● 美容仪、便携家电微型无刷马达
SS6343M适用于各种直流无刷电机的驱动需求，为驱动直流无刷电机提供了稳定可靠的解决方案，热线：19168597394（微信同号）获取datasheet、报价、样片等更多产品信息。
