近日，外媒报道称，国产存储芯片大厂长江存储已经向客户交付了自主研发的192层的3D NAND闪存，在今年年底前将会大规模交付。
我们再结合前段时间的消息，那就是长江存储推出了UFS3．1规格的通用闪存芯片—UC023。
这两则消息一结合，意味着国产存储芯片，真正追上全球顶尖大厂三星、美光、SK海力士了。
要知道目前NAND闪存最高规格也就是UFS3．1，至于UFS4．0，三星都还只提出个概念，没有量产交付，预计是年底甚至更晚
而3D NAND闪存当前最高量产层数，也就是192层，美光两早两天推出了232层，但也没有规模量产，预订要到年底或更晚才会量产交付。
而我们一旦搞定UFS3．1，再搞定192层NAND闪存，就证明国产NAND存储芯片，就达到了世界顶尖水平。
长江存储是2016年7月份成立的，至今也就5年多时间，但直到2017年才研发出第一代32层的NAND存储产品。
到2019年，长江存储推出了64层TLC技术，当时三星、美光等厂商，已经推出了128层的NAND闪存。
后来长江存储推出了一个自研的Xtacking技术，然后跳过了96层这个阶段，直接从64层堆叠，在2021全面进入到128层堆叠。
不仅如此，采用Xtacking技术后，长江存储的128层堆叠的NAND闪存，在容量、位密度和I／O速度方面实现了行业领先的新标准，性能甚至略胜一筹。
不过三星、美光在2021年已经能够推出192层堆叠的NAND闪存了，总体来讲，还是落后一代，而层数越高，密度越大，成本就越低。
如今长江存储迈入192层，也就意味着国闪的NAND闪存，正式与三星、美光、SK海力士们是处于同一水准了。
按照机构的数据，2021年，长江存储的NAND闪存产品在全球的市场份额约为4％，预计到再到2022年预计的7％。
可见，仅仅5年多时间，国产内存就从0起步，真正追上了国际顶级大厂，以后再也不用担心在内存芯片上被卡脖子了， 因为我们不仅有，一样全球领先。
