众所周知，全球存储芯片市场，主要是被韩国、美国厂商垄断的。
在DRAM芯片市场，三星、SK海力士、美光三大厂商占了全球90％＋的份额。NAND芯片市场，三星、铠侠、西数、SK海力士、美光这5大厂商也占了90％＋的份额。
而中国作为全球最大的电子产品制造基地，一直以来大量进口存储芯片，过去2年间，每年进口的存储芯片超过1000亿美元。
也正因为如此，所以国内这几年也是在大力发展存储芯片，比如长鑫存储主攻DRAM芯片，而长江存储主攻NAND闪存，发展都非常迅速。
特别是长江存储，已经推出了UFS3．1规格的NAND闪存，也推出了128层堆叠的3D NAND闪存芯片，下一步是进军192层。按照机构的数据，到2021年底时，长江存储的全球市场份额已经达到了4％左右。
可以说，长江存储代表的国产NAND芯片，与国际巨头三星、美光、SK海力士之间的差距越来越小。
不过，在国产存储芯片不断突破的情况下，国际巨头也没闲着，不断的推出新技术，想通过降维来打击国产存储芯片。
前段时间三星推出了UFS4．0规格，相比于UFS3．1，速度直接翻倍，同时功耗也更低，三星表示UFS4．0规格的NAND闪存，今年三季度量产，很明显三星是想通过新的规格，拉开与国产厂商才UFS3．1规格的差距。
而美光前两天发布业界首个232 层堆叠3D NAND Flash 快闪记忆体，计划用于各种产品包括固态硬盘，2022 年底左右开始量产。
美光的目的与三星也是一样的，也就是提高技术门槛，拉开自己与其它厂商的差距，对国产存储芯片厂商，形成降维打击。
毕竟不管是UFS4．0，还是232 层的3D NAND，相比于现在国产厂商的技术，又再提升了一个档次，这样有望降低生产成本，定出更有竞争力的定价，或增加利润。
这对于国产存储芯片厂商而言，压力还是相当大的，本来在后面一步一步追，马上快要追上了，对方突然又来了一个加速，距离又拉大了，又得埋头苦追。
