众所周知，在芯片光刻机领域，有4大厂商，分别是ASML、佳能、尼康、上海微电子。
其中ASML占了85%+的份额，佳能、尼康合计占了15%左右的份额，至于上海微电子，其实就是打酱油而已，份额接近于0%。
当然，最重要的是，用于7nm以下的EUV光刻机，只有ASML能生产，份额占了100%。
为了垄断EUV光刻机，ASML与全球5000多家厂商达成合作，将一些关键技术/公司，买的买，捆绑的捆绑，让这些核心技术，无法向其它厂商供应，所以ASML在EUV领域，连不担心其它厂商有突破。
这也导致其它光刻机厂商，走不通EUV光刻机这条路，只能换道，比如佳能换道NIL纳米压印技术方向，俄罗斯押X射线方向，美国一些厂商，则押BLE电子束方向，欧洲一些厂商押注DSA自生长方向。
而近日，终于传出了重磅消息，那就是佳能的NIL光刻机有了重大突破，佳能（Canon）公司发布新闻稿称，正式开始销售芯片生产设备 FPA-1200NZ2C，这种光刻设备，采用的是NIL纳米压印技术，可以制造 5 nm 芯片。
而这也是全球第一款不使用EUV技术，就能够规模制造5nm芯片的光刻技术，据称设备成本，以及制造芯片的成本，远比EUV光刻技术低很多。
纳米压印的原因，就像印刷书本一样，先刻一个电路板的章子，然后再印到硅晶圆上，目前这套设备，可以应用于最小 14 平方毫米的硅晶圆，从而可以生产相当于 5nm 工艺的芯片。
佳能表示，未来NIL可以实现2nm芯片的制造，不再需要EUV光刻机。
而关于NIL纳米压印，之前SK 海力士和铠侠等存储芯片制造商曾尝试过使用，不过当时的精度是15nm以上，且当时效果不太好，良率低。
不知道这次佳能的新设备如何？很明显，如果佳能的NIL光刻机，真的能够达到5nm，且率良不错，那绝对可以打破ASML在EUV光刻机上的垄断，大家进入5nm时，不一定非得买ASML的设备了。
不过，大家要注意的是，佳能是不可能将这设备卖给中国大陆的，毕竟日本有针对中国芯片的禁令，14nm以下的设备，不能卖的，所以我们还得自研，日本厂商也一样靠不住。
