三星电子在7月6日宣布，三星高级技术学院（SAIT）的研究人员与蔚山国立科学技术学院（UNIST）和美国大学合作，发现了一种新材料，称为非晶氮化硼（a-BN）。
三星表示，这项发表在《自然》杂志上的研究有可能加速下一代半导体的问世。
三星称，SAIT最近一直在研究二维（2D）材料-具有单原子层的晶体材料的研究和开发。具体而言，该研究所一直致力于石墨烯的研究和开发，并在该领域取得了突破性的研究成果，例如开发新的石墨烯晶体管以及生产大面积单晶晶片的新方法。除了研究和开发石墨烯外，SAIT还致力于加速材料的商业化。
SAIT石墨烯项目负责人兼首席研究员Shin Hyeon-jin表示：“为增强石墨烯与基于硅的半导体工艺的兼容性，应在低于400摄氏度的温度下实现半导体衬底上晶圆级石墨烯的生长。我们还在不断努力，将石墨烯的应用范围扩展到半导体以外的领域。”
新发现的材料称为非晶氮化硼（a-BN），由具有非晶分子结构的硼和氮原子组成。尽管非晶态氮化硼衍生自白色石墨烯，其中包括以六边形结构排列的硼和氮原子，但实际上a-BN的分子结构使其与白色石墨烯具有独特的区别。
非晶氮化硼具有1.78的同类最佳的超低介电常数，具有强大的电气和机械性能，可以用作互连隔离材料以最大程度地减少电干扰。还证明了该材料可以在仅400摄氏度的低温下以晶圆级生长。因此，预计非晶氮化硼将广泛应用于诸如DRAM和NAND解决方案的半导体中，尤其是在用于大型服务器的下一代存储解决方案中。
“最近，人们对2D材料及其衍生的新材料的兴趣不断增加。但是，将材料应用于现有的半导体工艺仍然存在许多挑战。” SAIT副总裁兼无机材料实验室负责人朴成俊说。“我们将继续开发新材料来引领半导体范式的转变。”
