撰文丨Anton Shilov
翻译丨理工科人
GlobalFoundries和Everspin已宣布,两家公司已将其自旋转移矩磁随机存储器(STT-MRAM)联合开发协议(JDA)扩展至12LP(12NM FinFET)平台。该扩展将使GlobalFoundries能够使用其12nm工艺生产分立的MRAM芯片,并将MRAM嵌入为其12LP制造技术设计的芯片中,该技术正被广泛应用。
这两家公司有着悠久的合作历史,可以追溯到40nm的批量制造工艺,并扩展到28nm的HKMG以及22nm的FD-SOI(22FDX)。如今,使用GloFo技术制造的芯片可以采用嵌入式MRAM(eMRAM),而Everspin的256mb和1gb独立MRAM设备也采用40nm和28nm的大容量节点。将STT-MRAM缩小到12纳米,将使两者能够降低1 Gb芯片的成本,并以经济有效的方式生产更高容量的设备。
虽然现有的MRAM芯片不能提供巨大的容量,但它们因其适用场景而非常受欢迎。Everspin表示,它已经向1000多个客户运送了1．25亿个分立MRAM芯片。此外,根据该公司引用的一份报告,到2029年,分立MRAM的销售额将达到40亿美元。同时,随着需求扩展到更高容量的独立MRAM,将需要更先进的工艺技术来制造分立MRAM组件。
在GlobalFoundries的12LP平台(包括12LP和12LP+技术)中添加eMRAM,大大提高了节点的竞争地位,特别是对于将在未来几年发布的控制器/微控制器应用程序。例如,来自Phison和Sage的一些即将推出的企业级固态硬盘控制器将使用Everspin的eMRAM,这两家公司将不会单独使用这种类型的嵌入式非易失性内存。
eMRAM有望取代使用先进制造技术生产的设备中的嵌入式flash(eFlash),因为使用薄制造工艺生产的NAND存在许多问题,如耐久性和性能。MRAM可以用现代的节点来构建,并且仍然提供良好的性能和耐久性,因为它不使用电荷或电流流,而是具有磁存储元件,并且依赖于感测被薄势垒隔开的两个铁磁薄膜的磁各向异性(方向)。eMRAM有其局限性,但在其他技术出现之前,它将在未来几年用于许多设备。
Everspin总裁兼首席执行官凯文•康利(Kevin Conley)表示:
“由于我们与GlobalFoundries的行业领先伙伴关系,我们率先实现了自旋转移矩MRAM的商业化。进一步扩展到GF的12nm FinFET平台将不仅巩固我们共同的技术领先地位,而且将为STT-MRAM作为存储技术的未来提供下一步。”
