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美国封锁失败,努力6年后,国产光刻机从90nm,跨进65nm

互联网乱侃秀 2024-09-17 09:30 发布于湖南 发文

众所周知,全球前道光刻机(非后道光刻机)的主要玩家就4家,分别是荷兰的ASML,日本的尼康、佳能,中国的上海微电子。

但如果从市场份额来看,ASML占了85%以上的份额,然后尼康、佳能又占了15%左右,上海微电子的份额几乎为零。

这是为什么呢?看上面这个图,大家就清楚了,因为ASML垄断了EUV光刻机,全球只有它一家能够生产,在浸润式DUV领域,也垄断了95%左右,另外5%是尼康的。

而上海微电子、佳能只能生产低端光刻机,比如上海微电子,之前的光刻机分辨率一直在90nm,也就是SSA600这一个型号,因为美国一直对光刻机的一些关键技术/元件进行封锁,不想让中国光刻机有突破。

从上海微电子的官网,大家可以看到这台光刻机介绍:“可满足IC前道制造90nm、110nm、280nm关键层和非关键层的光刻工艺需求”

但是近日,在工业和信息化部发布的资料中,大家发现我们有了新的光刻机,一共是两台,一台是氟化氪光刻机,使用248nm波长的照明光源,分辨率小于等于110nm,这一台就不说了,连DUV都不是,因为DUV要使用193nm波长的。

另外一台是氟化氩光刻机,照明波长193nm,分辨率小于等于65nm,套刻小于等于8nm。

这台光刻机,明显就比上海微电子之前公布的那台SSA600要先进了,毕竟那台的分辨率是90nm,这台标明了是65nm了。

而SSA600是2018年3月份推出的,到如今已经过去了6年多的左右,这也意味着,经过了6年的努力,我们终于实现了从90nm到65nn的跨进。

当然,也有人对套刻精度小于等于8nm有误解,觉得这或许可以代表制造8nm芯片。

事实上,套刻精度是用于多重曝光的,因为芯片电路图越来越复杂,如果光刻机分辨率不够时,就会将一个图拆分成N个图,分N次来光刻。

每一次之间的误差值,就是套刻精度,套刻精度代表的是多重曝光的能力,套刻精度越小,就能更多次的曝光,一旦套刻精度大,那么就无法多重曝光,因为误差大了,芯片就废了。

按照对ASML光刻机的对标,ASML在在2013年时发布的浸没式光刻机,例如NXT:1950,它的套刻精度是5.5纳米,多重曝光后能生产28nm芯片。

而这台氟化氩光刻机,明显还不是浸润式,只是一台干式光刻机,也就是ArF光刻机,这种光刻机理论上的极限就是65nm,所以搞定28nm都是有点悬的,更别说8nm了。

当然,即便如此,它也是一个巨大的进步,毕竟我们也算是突破了美国的封锁,从90nm跨进了65nm,也是前进了一代,只要我们不断的前进,总有一天,会研发出浸润式光刻机,甚至EUV光刻机来的。

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