基板在我国的发展已有很长一段时间的历史，基板类型一直在不断应需增加，传统的基板包括了纤维基板、FR-4、铝基板、铜基板等类型。
随着工业要求的提升、细化，受到热耗散和热膨胀系数匹配性等方面的限制，当传统的基板性能难以满足新需求时，人们不得不开始寻求替代品，在寻求的过程中根据各式各样的需求自然会对各种基板进行对比，择优而购。
作为最佳选择，采用了LAM技术（激光快速活化金属化技术Laser high-peed activation metallization）的氮化铝陶瓷基板让金属层与陶瓷之间结合得更紧密，金属层与陶瓷之间结合强度高，最大可以达到45，Pa（大于1mm厚陶瓷片自身的强度）。使氮化铝基板拥有更牢、更低阻的金属膜层，导电层厚度在1μm～1mm内还可任意定制。
比较传统陶瓷基板，铝基基板的热导率是1～2W/mk，虽然铜本身的导热率达到了383.8W/m.K，但绝缘层的导热率只有1.0W/m.K.左右，好一点的能达到1.8W/m.K。而氮化铝陶瓷基板具有更高的热导率，数据为170～230 W/m.k。
举例来说热膨胀系数（CTE）。在LED照明领域，主流基板CTE平均导热率为14~17ppm/C，而硅芯片的CTE为6ppm/C，在温差过大、温度剧变的情况下，PCB会比芯片封片封装膨胀得更剧烈，导致脱焊问题。在这种困扰之下，氮化铝陶瓷基板的CTE为4-5ppm/C让人眼前一亮，和芯片的膨胀率更为接近，能有效避免类似情况。
除此之外，氮化铝陶瓷基板不含有机成分，铜层不含氧化层，使用寿命长，可在还原性气氛中长期使用，适于航空航天设备。
氮化铝陶瓷基板的在市面上的用途相当广泛，由于它高频损耗小，介电常数小的特性，可进行高频电路的设计和组装，也可进行高密度组装，线/间距（L/S）分辨率可以达到20μm，在以轻薄小巧为科技潮流的当下，十分利于实现设备的短、小、轻、薄化。
陶瓷基板的生产市场主在海外，近年来为了实现氮化铝陶瓷基板的国产化、自主研究优势和满足国内市场越加高涨的对氮化铝基板的需求，为了拥有更好基础进行技术研发，从而占据行业一线地位，国内PCB企业纷纷加以重视，氮化铝陶瓷基板的优势相当突出。
在电子工业上没有贵不贵，只有适不适用，最合适的才是对的。如何让物有所值，物超所值？正是航空航天、通讯信息、照明家电等等领域工业的飞速发展促使了氮化铝陶瓷基板这样的产品出现，这些拥有突出优势的产品也必然会成为新的潮流，来印证时代对它们的选择。氮化铝基板作为更优越的选择，是大势所趋。
