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2纳米无需EUV光刻机,ASML或面临灭顶之灾,难怪加紧对中国出货了

柏铭007 2023-11-01 08:51 发布于广东 发文

ASML曾表示全球5纳米以下的工艺必需它的EUV光刻机,谁也无法替代它的地位,然而如今却有厂商表示可以绕开EUV光刻机生产先进工艺,吓坏了ASML。

在光刻机行业,除了ASML之外,其实还有日本的尼康和佳能,尼康已研发成功浸润式光刻机,不过它的光刻机技术与ASML存在较大差距,这也导致尼康难以与ASML竞争。

佳能则认识到在光刻机市场已很难与ASML竞争,选择了另辟蹊径发展新的芯片制造设备,那就是NIL纳米压印技术,该项技术在几年前就已取得突破,并被日本铠侠用于生产存储芯片。

不过此前NIL技术只能用于生产10纳米以上的工艺,去年佳能表示量产了10纳米的NIL工艺,近期佳能更表示5纳米的NIL工艺也已突破,预计到2026年实现2纳米的NIL工艺。

相比起采用EUV光刻机生产5纳米以下的先进工艺,NIL工艺的成本可以降低三成到五成,越先进的工艺成本就比ASML更低,这已获得了业界的认可,近期SK海力士就采用了NIL工艺,这是日本厂商之外第一家采用佳能NIL设备。

中国芯片行业对此相当感兴趣,由于ASML受制于美国无法对中国出售EUV光刻机,中国芯片行业一直都在研发自己的光刻机,同时探寻研发绕开EUV光刻机芯片制造技术。

ASML曾声言即使给中国图纸,中国也无法生产出光刻机,然而近期华为推出了一款5G手机mate60Pro,据称采用了国产的浸润式光刻机,这是国产芯片制造设备的重大进步。

随着中国在芯片设备方面的重大突破,中国在绕开EUV光刻机的芯片制造技术上预计也将取得重大进展,毕竟已有日本的NIL工艺作为指引,可以预期中国将很快研发出无需EUV光刻机的先进工艺。

佳能的NIL工艺正在大举抢占ASML的市场,毕竟它的生产成本更低,在如今美光、三星等存储芯片业务亏损严重的情况下,有助于降低成本的NIL工艺将很快风行。

至于最大客户台积电由于3纳米工艺表现不佳,它已停止采购EUV光刻机,还将多台生产线上的EUV光刻机停产;另一大客户Intel出现巨亏,Intel 4生产线放缓量产,更不会采购EUV光刻机。

几个大客户都在减少乃至停止采购,还面临佳能抢占市场,这让ASML相当担忧自己的前景,如此仅剩下的大市场--中国市场就备受ASML关注,但是正如上述中国在浸润式光刻机方面已取得突破,无需EUV光刻机的技术也在推进,留给ASML的时间已经不多了。

于是今年三季度ASML赶紧大举对中国出售光刻机,它公布的业绩显示今年三季度从中国市场获得的收入高达46%,较去年的低谷8%增长了4倍多,可见ASML对于抢占中国市场多么迫切。

现实证明ASML的光刻机生意已很难长久,它也表示第二代EUV光刻机将是它最后一款光刻机,光刻机业务将走到尽头,中国这个超级大市场将是它的最后红利,争取中国市场已是它最后的选择。

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