ASML曾表示全球5纳米以下的工艺必需它的EUV光刻机，谁也无法替代它的地位，然而如今却有厂商表示可以绕开EUV光刻机生产先进工艺，吓坏了ASML。
在光刻机行业，除了ASML之外，其实还有日本的尼康和佳能，尼康已研发成功浸润式光刻机，不过它的光刻机技术与ASML存在较大差距，这也导致尼康难以与ASML竞争。
佳能则认识到在光刻机市场已很难与ASML竞争，选择了另辟蹊径发展新的芯片制造设备，那就是NIL纳米压印技术，该项技术在几年前就已取得突破，并被日本铠侠用于生产存储芯片。
不过此前NIL技术只能用于生产10纳米以上的工艺，去年佳能表示量产了10纳米的NIL工艺，近期佳能更表示5纳米的NIL工艺也已突破，预计到2026年实现2纳米的NIL工艺。
相比起采用EUV光刻机生产5纳米以下的先进工艺，NIL工艺的成本可以降低三成到五成，越先进的工艺成本就比ASML更低，这已获得了业界的认可，近期SK海力士就采用了NIL工艺，这是日本厂商之外第一家采用佳能NIL设备。
中国芯片行业对此相当感兴趣，由于ASML受制于美国无法对中国出售EUV光刻机，中国芯片行业一直都在研发自己的光刻机，同时探寻研发绕开EUV光刻机芯片制造技术。
ASML曾声言即使给中国图纸，中国也无法生产出光刻机，然而近期华为推出了一款5G手机mate60Pro，据称采用了国产的浸润式光刻机，这是国产芯片制造设备的重大进步。
随着中国在芯片设备方面的重大突破，中国在绕开EUV光刻机的芯片制造技术上预计也将取得重大进展，毕竟已有日本的NIL工艺作为指引，可以预期中国将很快研发出无需EUV光刻机的先进工艺。
佳能的NIL工艺正在大举抢占ASML的市场，毕竟它的生产成本更低，在如今美光、三星等存储芯片业务亏损严重的情况下，有助于降低成本的NIL工艺将很快风行。
至于最大客户台积电由于3纳米工艺表现不佳，它已停止采购EUV光刻机，还将多台生产线上的EUV光刻机停产；另一大客户Intel出现巨亏，Intel 4生产线放缓量产，更不会采购EUV光刻机。
几个大客户都在减少乃至停止采购，还面临佳能抢占市场，这让ASML相当担忧自己的前景，如此仅剩下的大市场--中国市场就备受ASML关注，但是正如上述中国在浸润式光刻机方面已取得突破，无需EUV光刻机的技术也在推进，留给ASML的时间已经不多了。
于是今年三季度ASML赶紧大举对中国出售光刻机，它公布的业绩显示今年三季度从中国市场获得的收入高达46%，较去年的低谷8%增长了4倍多，可见ASML对于抢占中国市场多么迫切。
现实证明ASML的光刻机生意已很难长久，它也表示第二代EUV光刻机将是它最后一款光刻机，光刻机业务将走到尽头，中国这个超级大市场将是它的最后红利，争取中国市场已是它最后的选择。
