行家说快讯：
近日，据国外网站Micro LED-info报道，韩国首尔国立大学和成均馆大学的研究人员开发了一种在柔性石墨烯层上生长GaN LED阵列的方法。
研究人员通过该技术生长出了LED微型阵列（Microdisks arrays）；该微盘阵列具有良好的结晶度，具有均匀的面内取向和强蓝光发射。
值得注意的是，研究人员利用金属有机气相外延技术，在覆盖有微图案SiO2掩膜的石墨烯层(生长在蓝宝石衬底上)上生长GaN微盘，并将微磁盘加工成的Micro LED成功地转移到可弯曲的基板上。
这是一项有趣的研究，这项研究证明了在石墨烯上生长高质量的LED，然后将其集成到柔性Micro LED器件中是可能的。
来源Micro LED-info、行家说综合整理
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