小米集团和纳微（Navitas）宣布，其GaNFast充电技术已被小米采用，用于旗舰产品Mi 10 PRO智能手机。 小米董事长兼首席执行官雷军先生在2月13日的小米在线新闻发布会上宣布了此消息。 GaNFast功率IC使用氮化镓（GaN），这是一种新的半导体材料，其运行速度比以前的硅（Si）电源芯片快100倍，因此仅需45分钟即可对Mi 10 PRO进行0至100％的充电。
雷军在直播发布会上表示：“GaN（氮化镓）作为一种新半导体材料，给充电器，带来了无法想象的效果。它特别小，充电效率特别高，比小米10 Pro标配的65W充电器再小了一半。” 雷军为推广氮化镓技术，鼓励消费者和米粉们关注新时代充电技术变化。
据悉，小米早前就已投资纳微(Navitas)半导体，为这次合作埋下伏笔。小米的投资策略是通过资金注入，确立产业链上下游合作，同时兼顾投资和业务的双重收益。通过此次合作，纳微(Navitas)半导体也得以拓宽销售渠道。这正是小米扶持合作企业、推动制造业升级、带动行业活力的证明，并最终发布了带有GaNFast充电技术的小米Mi 10 PRO。
纳微(Navitas)半导体首席执行官Gene SHERIDAN在会后表示：“非常高兴看到小米对新材料，新技术所持的开放态度。纳微半导体自成立以来就专注于GaN材料的技术运用和创新，所开发的GaNFast功率IC是FET，驱动器和逻辑的单片集成，可实现极小的应用尺寸和高效率。对于希望走在前端、引领技术潮流的厂商，GaNFast技术会为他们的产品注入高性能和差异化！”
纳微(Navitas)半导体中国区总经理查莹杰则表示：“目前智能手机，平板电脑和笔记本电脑的电池容量不断增加，另一方面，消费者却需要更快的充电体验，而GaNFast技术具有小尺寸、轻量和高效的优势，因而极具吸引力。GaNFast技术为业界带来小巧、高效的充电器，可以为手机和笔记本电脑等电子产品快速充电。”
小米65W GaN充电器Type-C 65W的核心器件采用的是纳微半导体的NV6115和NV6117 GaNFast功率IC，它们针对高频、软开关拓扑进行了优化，通过FET、驱动器和逻辑的单片集成，创建了非常小并且非常快的易于使用的 “数字输入，电源输出” 高性能电源转化模块。使用GaNFast技术，小米65W GaN充电器只有56.3 x 30.8 x 30.8mm（53 cc），是标准适配器尺寸的一半。
据了解，小米GaN充电器型号为AD65G，输出接口为单个USB-C接口，支持USB PD3.0快速充电协议。支持5V3A / 9V3A / 10V5A / 12V3A / 15V3A / 20V3.25A，最大输出功率65W，支持100-240V ~ 50/60Hz全球电压。
小米10Pro手机支持10V5A大功率疾速闪充，小米GaN充电器拥有的10V5A特殊电压档就是专们小米10Pro而设的，可以在45分钟为小米10 Pro充电100%。
尺寸方面，采用氮化镓功率器件设计方案，体积得到大幅度缩减，小米GaN充电器体积约为苹果61W充电器的三分之一，长宽高为30.8mm x 30.8mm x 56.3mm（不含插脚），为了体积做到极致插脚为不可折叠设计。
除此之外产品内标配了长度为1米的USB-C to USB-C数据线，能承受最大5A电流传输，兼容大多数USB-C型手机、笔记本、平板电脑。
编辑：muyan来源：EEWORLD
